-
1 пробивное напряжение коллектор-эмиттер
пробивное напряжение коллектор-эмиттер
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора.
Обозначение
UКЭпроб
Примечание
При токе базы, равном нулю, UКЭО проб, U(BR)CEO ;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭR проб, U(BR)CER ;
при коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UКЭK проб, U(BR)CES ;
при заданном обратном напряжении база-эмиттер, UКЭX проб, U(BR)CEX.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
E. Breakdown collector-emitter voltage
F. Tension de claquage collecteur-émetteur
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-эмиттер
-
2 пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
-
3 пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
См. также в других словарях:
Second breakdown — The second breakdown is an irreversible failure mode in power semiconductors.The safe operating area (SOA) of a power transistor is a subset of the parameter combinations of collector emitter voltage and collector current, which the device can… … Wikipedia
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер — 13. Пробивное напряжение коллектор эмиттер D. Kollektor Emitter Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) E. Breakdown collector emitter voltage F. Tension de claquage collecteur émetteur Пробивное напряжение, измеряемое между выводами… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение коллектор-эмиттер — Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора. Обозначение UКЭпроб Примечание При токе базы, равном нулю, UКЭО проб, U(BR)CEO ; при заданном сопротивлении в цепи база эмиттер, UКЭR проб,… … Справочник технического переводчика
Avalanche transistor — An Avalanche Transistor is a bipolar junction transistor designed for operation in the region of its collector current/collector to emitter voltage characteristics beyond the collector to emitter breakdown voltage, called avalanche breakdown… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
Operational amplifier — A Signetics μa741 operational amplifier, one of the most successful op amps. An operational amplifier ( op amp ) is a DC coupled high gain electronic voltage amplifier with a differential input and, usually, a single ended output.[1] An op amp… … Wikipedia
Safe operating area — For power semiconductor device (such as BJT, MOSFET, thyristor or IGBT) a safe operating area (SOA) is defined as the voltage and current conditions over which the device can be expected to operate without self damage.SOA is usually presented in… … Wikipedia
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
